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产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    ne3515s02-t1c-a

  • 功能描述

    射频GaAs晶体管 Super Low Noise Pseudomorphic

  • RoHS

  • 制造商

    TriQuint Semiconductor

  • 技术类型

    pHEMT

  • 频率

    500 MHz to 3 GHz

  • 增益

    10 dB

  • 噪声系数

    正向跨导

  • gFS(最大值/最小值)

    4 S 漏源电压

  • 闸/源击穿电压

    - 8 V

  • 漏极连续电流

    3 A

  • 最大工作温度

    + 150 C

  • 功率耗散

    10 W

规格书PDF

  • 芯片型号:

    NE3515S02-T1C-A

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    下载资料

  • 原厂全称:

    California Eastern Laboratories

  • 原厂简称:

    CEL

  • 页数:

    9

  • 文件大小:

    415 kb

  • 说明:

    X to Ku-BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET